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NiAl改性C/C复合材料的制备与性能研究  CNKI文献

NiAl金属间化合物具有高熔点,高热导率,低密度,抗氧化性能良好等优异特点,作为高温热结构材料极具应用前景。利用NiAl改性C/C复合材料,有望弥补C/C复合材料高温抗氧化性能差,与外涂层匹配性差等缺陷。 本文系统地考...

於广军 导师:肖鹏 中南大学 2014-06-01 硕士论文

关键词: NiAl改性C/C复合材料 / 真空熔渗法 / 润湿性 / 微观结构

下载(157)| 被引(3)

添加Ti对C/C复合材料渗NiAl金属间化合物的影响  CNKI文献

通过铺展实验研究添加Ti对NiAl金属间化合物与C/C复合材料润湿性的影响,发现添加Ti元素可改善熔融NiAl与C/C复合材料基体的润湿性。以低密度C/C复合材料为坯体,采用真空熔渗法制备C/C-NiAl复合材料,利用X射线衍射(XRD...

於广军 肖鹏... 《中国有色金属学报》 2013年12期 期刊

关键词: C/C复合材料 / NiAl金属间化合物 / / 熔渗

下载(227)| 被引(6)

深槽刻蚀侧壁平坦化技术  CNKI文献

介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF酸漂洗工艺去除牺牲氧化层得到完全光滑的侧...

於广军 杨彦涛... 《半导体技术》 2016年05期 期刊

关键词: 深槽刻蚀(DRIE) / 扇贝褶皱 / 博世工艺 / 线性氧化

下载(146)| 被引(1)

SOI深槽刻蚀Notching效应的研究  CNKI文献

本文研究了高频(13.56 MHz)和低频(380 KHz)深槽刻蚀机,对SOI硅片深槽刻蚀横向切口(notching)效应的影响。结果表明:过刻蚀量(OE)在20%时,高频设备发生notching现象,但是随着槽尺寸的增大,notching的横向刻蚀量呈线性...

於广军 闻永祥... 《中国集成电路》 2015年10期 期刊

关键词: 横向切口效应 / 深槽刻蚀 / 低频偏压 / 微机械系统

下载(68)| 被引(2)

HF气相刻蚀技术及其在MEMS加速度计中的应用  CNKI文献

本文介绍了一种用于微结构干法释放的HF气相刻蚀技术。通过调节工艺参数(包括腔体压力,HF流量,乙醇流量,氮气流量)研究其对二氧化硅刻蚀速率和均匀性的影响,得到刻蚀速率在500魡/min左右,均匀性5%左右的工艺菜单。该技...

方佼 於广军... 《中国集成电路》 2016年04期 期刊

关键词: 气相氟化氢 / 牺牲层腐蚀 / 无粘连释放 / 刻蚀速率和均匀性

下载(91)| 被引(0)

MEMS磁传感器斜面Barber电极制作技术  CNKI文献

本文介绍了一种在MEMS磁传感器中利用剥离工艺制作斜面barber电极的技术。通过研究曝光量、PEB温度和PEB时间对负胶倒角的影响得到最佳工艺条件,负胶形貌为倒梯形,等效倒角约69°。曝光量主要影响曝光区域链式反应...

方佼 於广军... 《中国集成电路》 2016年06期 期刊

关键词: 剥离工艺 / barber电极 / 负性光刻胶 / 倒角

下载(44)| 被引(0)

活性元素对C/NiAl复合材料界面润湿及浸渗组织的影响  CNKI文献

采用座滴法研究了真空、1800℃下NiAl在碳、TiC、SiC和ZrC上的润湿性,并通过铺展实验和熔渗实验优化了NiAl改性C/C复合材料的活性添加元素及添加量。采用真空熔渗法制备NiAl改性C/C复合材料,采用X射线衍射仪和扫描电镜...

方华婵 於广军... 《稀有金属材料与工程》 2016年04期 期刊

关键词: C/C复合材料 / 熔渗 / NiAl /

下载(132)| 被引(1)

NiAl改性C/C复合材料的组织、力学性能和氧化行为(英文)  CNKI文献

以NiAl和钛的混合粉为原料,采用真空熔渗法制备了NiAl改性C/C复合材料,利用扫描电镜观察了复合材料的显微组织,分析了其断裂行为、渗透机制和氧化机制。结果表明:界面反应形成的TiC提高了NiAl对C/C多孔体的润湿性,且均...

方华婵 肖鹏... 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 2016年01期 期刊

关键词: C/C复合材料 / 界面 / NiAl / 多层结构

下载(127)| 被引(5)

沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺  CNKI文献

深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研...

李志栓 汤光洪... 《半导体技术》 2016年12期 期刊

关键词: 沟槽肖特基器件 / Si深槽刻蚀 / 常温刻蚀 / 无缝回填

下载(164)| 被引(0)

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