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相关度 学位年度 被引 下载 发表时间 CNKI为你找到相关结果

InGaN/GaN多量子阱的结构及其光学特性的研究  CNKI文献

近年来,随着科学技术的不断进步,在半导体材料方面取得的成果也越来越明显,特别是AIN, GaN, InN及其合金化合物等III-V族氮化物半导体材料,更是得到了快速的发展。其中,GaN材料作为III-V族化合物半导体材料的代表,由于...

王绘凝 导师:冀子武 山东大学 2014-04-10 博士论文

关键词: InGaN/GaN多量子阱 / 局域态 / 斯塔克效应 / 光致发光

下载(2611)| 被引(8)

Ⅲ-Ⅴ族(GaN)和Ⅱ-Ⅵ族(ZnTe)半导体材料的制备及光学特...  CNKI文献

以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料(包括AlN、GaN、InN及其合金)和以ZnO、ZnSe和ZnTe为代表的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体近年来获得了快速的发展。Ⅲ-Ⅴ族氮化物具有优良的光电性质,稳定的化学性质,使其可在高温、酸碱、辐...

张磊 导师:冀子武 山东大学 2013-05-10 硕士论文

关键词: GaN / ZnTe / 光致发光 / 应力

下载(585)| 被引(6)

利用微纳结构提高GaN基LED发光效率的研究  CNKI文献

当今世界能源危机和环境污染日趋严重,发光二极管(LED)作为一种“绿色光源”,由于具有稳定性高、寿命长、节约能耗等优点,被广泛应用于固态照明、背光源、显示屏等诸多领域,引领照明领域的发展趋势,成为继白炽灯、荧光...

王强 导师:冀子武 山东大学 2015-04-20 博士论文

关键词: GaN / LED / 光致发光 / 应力

下载(496)| 被引(1)

ZnTe薄膜和GaN基异质结构的制备及光学特性  CNKI文献

以ZnO、ZnSe和ZnTe为代表的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体和以GaN材料为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料(包括AlN、GaN、InN及其合金)在光电器件的应用上获得了快速的发展。Ⅲ-Ⅴ族氮化物具有优良的光电性质,稳定的化学性质,使其可...

黄树来 导师:冀子武 山东大学 2014-04-10 博士论文

关键词: GaN / ZnTe / 光致发光 / 应力

下载(385)| 被引(2)

GaN基HEMT和LED结构的光电特性研究  CNKI文献

自上世纪50年代,以硅(Si)为代表的第一代半导体(元素半导体)材料开始兴起并广泛应用。它取代了笨重的电子管,促进了以集成电路为核心的微电子工业和整个IT产业的发展,使人类进入“Si时代”。随着半导体行业的发展,以砷...

李建飞 导师:冀子武 山东大学 2018-05-21 博士论文

关键词: GaN / 高电子迁移率晶体管 / 发光二极管 / 光致发光

下载(479)| 被引(1)

InGaN/GaN多量子阱发光特性的研究  CNKI文献

由于优异的电化学性质,GaN基材料在微电子领域和光电子领域得到了广泛的应用。GaN基材料是直接带隙半导体材料,相比于间接带隙半导体材料有更高的发光效率。而且通过调节GaN合金组分其禁带宽度可以从0.7 eV (InN)到6....

张凯 导师:冀子武 山东大学 2015-04-20 硕士论文

关键词: InGaN/GaN / 量子阱 / 光致发光 / 电致发光

下载(371)| 被引(1)

GaN基LED光电特性的研究  CNKI文献

GaN及其合金化合物(AlGaN、InG; iN)因具有化学稳定性强、禁带宽度可调等特点,在微电子器件(如L EDs、LDs、HEMT)领域得到了广泛的应用。特别是在蓝绿LED照明领域,GaN更是起到不可代替的作用。尽管目前通过金属有机化...

牟奇 导师:冀子武 山东大学 2016-04-20 硕士论文

关键词: GaN / LED / 应力释放 / 效率下降

下载(299)| 被引(2)

相分离InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光学特性  CNKI文献

InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构是当前制造蓝绿光发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的首选异质结构。InGaN合金的禁带宽度可在InN带隙(0.7eV)到GaN带隙(3.4eV)之间调节,覆盖了整个可见光区域并扩展到紫外范围。尽管目前生...

王帆 导师:冀子武 山东大学 2014-04-22 硕士论文

关键词: InGaN/GaN / 相分离 / 量子阱 / 光致发光

下载(198)| 被引(1)

GaN基和ZnTe半导体材料的制备和光学特性研究  CNKI文献

近年来,半导体材料生长技术的不断进步和对半导体器件发展要求的不断提高,极大地推动了化合物半导体材料的合成和器件开发等领域的研究工作的进展,并且取得了许多研究成果。其中,以GaN及其合金(如InGaN、AlGaN、AlInG...

吕海燕 导师:冀子武 山东大学 2018-01-04 博士论文

关键词: 光致发光PL / 电致发光EL / InGaN/GaN多量子阱 / 局域效应

下载(227)| 被引(0)

InGaN/GaN基纳米柱LED的制备及光学特性研究  CNKI文献

GaN及其合金化合物(InGaN、AlGaN等)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表,由于Ⅲ族氮化物半导体材料属于直接带隙半导体并且拥有变化范围很大的带隙宽度,其带隙变化范围从InN的0.7eV到AlN的6.28eV,对应能量从近红外可覆...

徐兴连 导师:冀子武 山东大学 2018-05-20 硕士论文

关键词: GaN / LED / 纳米柱 / 应力释放

下载(172)| 被引(0)

InGaN/GaN多量子阱光学特性研究  CNKI文献

以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料(包括A1N、 GaN、InN及其合金),近年来获得了快速的发展。优良的光电性质,稳定的化学性质,使其可在高温、酸碱、辐射环境下使用。它们都是直接带隙材料且带隙覆盖整个可见光区域...

孙虎 导师:冀子武 山东大学 2013-04-20 硕士论文

关键词: InGaN / 量子效率 / 量子阱 / 光致发光

下载(407)| 被引(0)

GaN基LED及ZnO纳米线阵列的制备和特性研究  CNKI文献

随着科技的逐渐进步,半导体照明领域获得了长足进展。LED作为一种绿色能源,已经深入到人们的生活中。其中,GaN基蓝光LED的出现以及ZnO在蓝光LED方面的潜在应用前景,使得获得白光LED成为可能,这大大推动了LED商业化的进...

王雪松 导师:冀子武 山东大学 2016-04-20 硕士论文

关键词: InGaN/GaN多量子阱 / 光致发光光谱 / 内量子效率 / 化学气相沉积

下载(125)| 被引(1)

In组分渐变的InGaN/GaN多量子阱结构光学特性  CNKI文献

随着社会的发展,在全社会用电量中,照明用电的比例越来越大。因此,迫切需要发展节能高效的新型照明。近年来,发光二极管(light-emitting diode,LEDs)因其亮度高、能耗低、寿命长和响应快的优点,成为取代传统照明的第...

李洪斌 导师:冀子武 山东大学 2019-05-26 硕士论文

关键词: InGaN/GaN多量子阱 / 光致发光 / 载流子局域效应 / 内量子效率

下载(96)| 被引(0)

GaN基蓝光LED的光学特性研究  CNKI文献

以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,是近十年发展起来的第三代半导体材料。这些材料具有优异的光电性能,通过控制各自的组分,其禁带宽度从InN的0.7eV到GaN的3.4eV直到A1N的6.2eV可连续变化,发光范围覆盖了从红外到...

蒋永志 导师:冀子武 山东大学 2012-05-20 硕士论文

关键词: GaN / MOCVD / LED / 量子阱

下载(1017)| 被引(2)

局域态对InGaN/GaN多量子阱结构光学特性的影响  CNKI文献

以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料(包括A1N、GaN、InN及其合金),近年来获得了快速的发展。优良的光电性质,稳定的化学性质,使其可在高温、酸碱、辐射环境下使用。它们都是直接带隙材料且带隙跨越很大,可从InN的0...

郭红雨 导师:冀子武 山东大学 2012-05-10 硕士论文

关键词: InGaN/GaN / 局域态 / 光致发光 / 电致发光

下载(449)| 被引(0)

智能可配置LED芯片的设计  CNKI文献

LED (Light Emitting Diode)具备光效高、寿命长、体积小、环保以及色彩多变的特点。这些特点使得它在照明应用中更易实现亮度可调,色彩可调等控制功能。随着科技的发展,传统的LED装饰灯也从原来的单色静态照明发展到...

毛光 导师:冀子武 山东大学 2015-05-20 硕士论文

关键词: LED驱动 / 装饰照明 / 双通道 / 智能配置

下载(48)| 被引(0)

InGaN/GaN多量子阱基LED的电致/光致发光特性研究  CNKI文献

在过去的三十年中,氮化镓(GaN)基发光二极管(light-emitting diodes,LEDs)已经取得了长足的进步。与传统的照明方式相比,由于GaN基LEDs具有能耗低、使用寿命长、响应速度快和体积小等优点,已经被广泛应用于液晶显示(l...

李长富 导师:宋爱民 山东大学 2019-07-04 博士论文

关键词: InGaN/GaN多量子阱 / 发光二极管 / 电致发光 / 光致发光

下载(140)| 被引(0)

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时间的形状