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    金属-半导体接触势垒高度的理论计算  CNKI文献

    采用平均键能作为参考能级计算了十种金属 -半导体接触势垒高度 ,其计算结果与实验值的符合程度不亚于 Tersoff和 M o¨ nch所采用的电中性能级方法 ,计算结果表明平均键能方法和 Tersoff提出的电中性能级方法一样...

    李书平 王仁智... 《固体电子学研究与进展》 2003年04期 期刊

    关键词: 势垒高度 / 平均键能方法 / 费米能级

    下载(849)| 被引(13)

    异质结能带边不连续性的第一性原理计算  CNKI文献

    本文根据异质结界面两侧的平均键能相互“对齐”的研究结果,以平均键能作为参考能级,采用改进计算效率的LMTO-ASA能带从头计算方法,计算了10种异质结的价带边不连续ΔE_v值,所得结果与更严格的第一性原理的界面自洽计...

    王仁智 黄美纯 《中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)》 1992年10期 期刊

    关键词: 半导体异质结 / 价带边不连续 / ΔE_v值 / 理论计算

    下载(273)| 被引(13)

    GaAs和AlAs光学声子形变势的第一性原理研究  CNKI文献

    本文以冻结声子近似模型,采用空球随原子球位移的冻结势近似的LMTO-ASA计算方案,研究了GaAs和AlAs布里渊区Λ轴的光学声子形变势的计算,得到Γ点和Λ轴光学声子形变势d_0,d_(30),d_(10)(val)和d_(10)(comd)的第一性原...

    王仁智 黄美纯 《物理学报》 1990年02期 期刊

    关键词: 光学声子 / 形变势 / AlAs / GaAs

    下载(181)| 被引(6)

    自由电子能带模型中的平均键能与费米能级  CNKI文献

    根据半导体自由电子能带模型,采用能带本征值的布里渊区求和而得到费米能级的方法,其结果有助于了解异质结带阶理论计算中所采用的参考能级“平均键能 Em”的物理意义

    郑永梅 王仁智... 《半导体光电》 1999年02期 期刊

    关键词: 费米能级 / 平均键能 / 异质结

    下载(306)| 被引(5)

    金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理  CNKI文献

    采用LMTO ASA能带计算方法 ,研究 (Si2 ) 3(2Al) 6 (0 0 1 ) ,(Ge2 ) 3(2Al) 6 (0 0 1 ) ,(Ge2 ) 3(2Au) 6 (0 0 1 )和 (Ge2 ) 3(2Ag) 6(0 0 1 )超晶格中半导体界面电荷Qss的生成机理 ,结果发现 ,金属 半导体相互接触...

    李书平 王仁智 《物理学报》 2004年09期 期刊

    关键词: Schottky势垒 / 界面电荷

    下载(237)| 被引(1)

    Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法  CNKI文献

    以平均键能Em 作为参考能级 ,计算了 10种不同半导体的Schottky接触势垒高度 ,计算值与实验值符合较好 .计算值与实验值的符合程度与Tersoff的电中性能级EB 方法相当 ,优于Harrison和Cardona等人采用sp3平均杂化能εh...

    李书平 王仁智 《物理学报》 2003年03期 期刊

    关键词: 势垒高度 / 平均键能方法 / 费米能级

    下载(182)| 被引(2)

    平均键能E_m的物理内涵探讨  CNKI文献

    在面心立方 (fcc)、体心立方 (bcc)和六角密堆积 (hcp) 3种不同结构晶体的自由电子能带模型中 ,发现 4个最低能带与 5个次低能带本征值的平均能量 (称为平均键能 ,Em)与费米能级 (EF)相当接近 ;并进一步在hcp结构的钛...

    王仁智 郑永梅... 《物理学报》 2001年02期 期刊

    关键词: 平均键能 / 费米能级 / 能带结构

    下载(108)| 被引(5)

    自由电子能带中的平均键能与费米能级  CNKI文献

    根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的...

    李书平 王仁智... 《固体电子学研究与进展》 2002年01期 期刊

    关键词: 费米能级 / 平均键能 / 异质结

    下载(442)| 被引(1)

    LMTO能带计算中空原子球和原子空d态的作用  CNKI文献

    本文研究LMTO能带计算中空原子球和空d态(未填充价电子的d态)的特征和作用。提出一种只在矩阵元计算中计入空d态和空原子球的p、d态的计算方案,在GaAs能带的实际计算中表明,该计算方法把通常求解的36×36阶久期方...

    王仁智 黄美纯 《计算物理》 1990年01期 期刊

    关键词: 能带结构 / 空球 / 态密度 / 电子能态

    下载(49)| 被引(13)

    Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级  CNKI文献

    基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属 本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费...

    李书平 王仁智 《厦门大学学报(自然科学版)》 2003年05期 期刊

    关键词: Schottky势垒 / 电中性能级 / 平均键能 / 费米能级

    下载(328)| 被引(0)

    一种由自由电子能带模型计算费米能级的方法  CNKI文献

    对面心立方 (fcc)、体心立方 (bcc)和六角密堆积 (hcp)三种不同结构的晶体 ,在假设它们的原胞中包含8个价电子并将价电子近似为自由电子的情况下 ,采用“自由电子气理论”和“自由电子能带模型” ,研究其根据费米球确...

    李书平 王仁智... 《发光学报》 2001年02期 期刊

    关键词: 费米能级 / 平均键能 / 自由电子能带模型

    下载(386)| 被引(1)

    正态分布近似式的研究  CNKI文献

    正态分布近似式的研究@郑金成@蔡淑惠@王仁智@郑永梅@程灿东¥厦门大学物理学系正态分布近似式的研究郑金成蔡淑惠王仁智郑永梅程灿东(厦门大学物理学系厦门361005)正态分布是一种重要的概率分布,许多随...

    郑金成 蔡淑惠... 《厦门大学学报(自然科学版)》 1998年01期 期刊

    关键词: Standard / normal / distribution / Probability

    下载(209)| 被引(3)

    经验赝势法在GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge异质结能带排...  CNKI文献

    在异质结能带排列的理论计算中,采用经验赝势能带计算方法,并将平均键能Em作为参考能级,计算了GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge三种异质结的整体能带结构和排序(包括价带、导带和带隙),获...

    郑永梅 王仁智... 《物理学报》 1996年09期 期刊

    关键词: 赝势法 / 带隙 / 能带结构算法 / 能带计算

    下载(230)| 被引(2)

    (GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格电子结构的从头计算  CNKI文献

    本文用密度泛函线性丸盒轨道原子球近似方法(DFT-LMTO-ASA)对(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格的电子结构进行了第一原理性计算。利用Lowdin微扰法在矩阵元中计入d态的影响,可使本文方法仅用阶数很小(32×32)的久期方...

    王仁智 黄美纯 《物理学报》 1990年07期 期刊

    关键词: GaAs / 空球 / 本征态 / AlAs

    下载(103)| 被引(4)

    β-SiC的静态性质和能带结构  CNKI文献

    在从头计算的LMTO—ASA方法中引用Lowdin微扰法,计算了β-SiC晶体的总能E_(tot),平衡晶格常数α_0,体模量B_0,体模量的压力微商B_0~'和能带结构,计算结果与从头计算的赝势法等的计算结果基本相符,与实验值的偏差合...

    吴孙桃 王仁智... 《固体电子学研究与进展》 1993年04期 期刊

    关键词: β-SiC / 静态性质 / 能带结构

    下载(142)| 被引(4)

    Ga_(1-x)Al_xAs禁带宽度的计算  CNKI文献

    用分区变分法研究Ga_(1-x)Al_xAs的直接、间接禁带宽度随组分x的变化关系。计算中,假设合金中的各个原子的原子球球内势场为球对称;球面上用径向波函数对数微商的平均值;球外区用虚晶势近似。计算结果与实验结果符合较...

    王仁智 《厦门大学学报(自然科学版)》 1985年01期 期刊

    关键词: 原子势 / 径向波函数 / 对数 / 久期方程

    下载(201)| 被引(2)

    异质结价带边不连续△E_v的理论计算  CNKI文献

    本文采用基于密度泛函理论的LMTO-ASA能带从头计算方法,研究了超晶格界面附近的平均sp~3杂化能E_2。数值计算结果表明,E_x是计算价带边不连续E_v值的一个合理参考能级,由此得到几种异质结的E_v值均与一些典型的理论计...

    王仁智 黄美纯 《物理学报》 1991年10期 期刊

    关键词: GaAs / 空球 / 原子球 / 分子层

    下载(48)| 被引(9)

    GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算  CNKI文献

    本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了(001)界面应变对GaN、AlN应变层的能带、平均键能Em和带阶参数Emv的影响.借助于带阶参数形变势的计算,预言了不同生长厚度情况下GaN/AlN应变层异...

    何国敏 王仁智... 《半导体学报》 1999年01期 期刊

    关键词: 异质结 / 半导体结 / 价带带阶 / 应变层

    下载(167)| 被引(2)

    MgO能带结构的LMTO-ASA计算  CNKI文献

    来用LMTO-ASA能带从头计算方法计算MgO晶体的能带结构,根据添加空球与否和对d态处理方法的不同,分成四种不同的计算方案,结果表明,其中添加空球并利用Lowdin微扰法计入空d态的计算方案所得的结果与从头计算的赝势法的...

    吴孙桃 王仁智... 《厦门大学学报(自然科学版)》 1992年05期 期刊

    关键词: MgO晶体 / 能带结构计算

    下载(152)| 被引(2)

    InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质  CNKI文献

    采用有效质量理论 6带模型 ,研究量子结构变化对 In0 .53 Ga0 .4 7As/In P量子阱和量子线光学性质的影响 .计算结果表明量子线结构可以在更低的注入电子浓度下 ,得到更高的光学增益 ,而且具有光学各向异性 .说明量子线...

    何国敏 郑永梅... 《厦门大学学报(自然科学版)》 2000年02期 期刊

    关键词: 有效质量理论 / 量子线 / 光学增益

    下载(115)| 被引(1)

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