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    Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管  CNKI文献

    分别在Si(110)和Si(111)衬底上制备了In Ga N/Ga N多量子阱结构蓝光发光二极管(LED)器件.利用高分辨X射线衍射、原子力显微镜、室温拉曼光谱和变温光致发光谱对生长的LED结构进行了结构表征.结果表明,相对于Si(111)上...

    刘战辉 张李骊... 《物理学报》 2014年20期 期刊

    关键词: 硅衬底 / InGaN/GaN多量子阱 / 发光二极管

    下载(158)| 被引(9)

    薄膜材料研究中的XRD技术  CNKI文献

    晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结...

    周元俊 谢自力... 《微纳电子技术》 2009年02期 期刊

    关键词: X射线衍射 / 晶格参数 / 应力 / 应变

    下载(7626)| 被引(71)

    PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究  CNKI文献

    采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM...

    陶涛 苏辉... 《微纳电子技术》 2010年05期 期刊

    关键词: 等离子体增强化学气相沉积法 / 氮化硅薄膜 / 生长速率 / 折射率

    下载(1315)| 被引(40)

    氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究  CNKI文献

    系统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/III比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响.研究发现合适的低温成核层为后续高温生长提供成核中心,并能有效降低外延膜与衬底间的界面自由能,促进成核...

    张李骊 刘战辉... 《物理学报》 2013年20期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 氢化物气相外延 / 低温成核层

    下载(150)| 被引(6)

    新型电极材料石墨烯在LED中的应用  CNKI文献

    石墨烯具有独特的力学、热学和光电学性能,良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料之一。主要介绍了石墨烯薄膜的制备和表征技术以及石墨烯导电薄膜作为电极应用在GaN基LED中的研究进展和存在的问...

    吴才川 刘斌... 《激光与光电子学进展》 2013年08期 期刊

    关键词: 光电子学 / 石墨烯 / 氧化铟锡 / 发光二极管

    下载(753)| 被引(3)

    InN的光致发光特性研究  CNKI文献

    研究了利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性.由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度,费米能级在导带之上,通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67eV,并且...

    王健 谢自力... 《物理学报》 2013年11期 期刊

    关键词: 氮化铟 / 金属有机化学气相淀积 / 光致发光 / 载流子浓度

    下载(245)| 被引(7)

    GaN基纳米阵列LED器件制备及发光特性  CNKI文献

    为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应,增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率,采用紫外软压印技术制备了均匀的周期性纳米柱阵列结构,结合常规LED器件微加工技术获...

    智婷 陶涛... 《发光学报》 2016年12期 期刊

    关键词: InGaN/GaN / 发光二极管 / 纳米柱 / 纳米压印

    下载(265)| 被引(7)

    紫外波段SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜的制备与研...  CNKI文献

    采用光学传递矩阵方法设计了紫外波段SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜,并利用等离子体增强化学气相沉积技术在蓝宝石(0001)衬底上制备了SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜.光反射测试表明,样品反射谱的峰...

    李志成 刘斌... 《物理学报》 2012年08期 期刊

    关键词: 介质膜分布式布拉格反射镜 / 传递矩阵方法 / X射线反射

    下载(232)| 被引(7)

    纳米压印技术在LED器件制备中的应用  CNKI文献

    纳米压印技术(NIL)是一种机械制备纳米图形的微加工技术,它具有设备简单、易于操作、重复性好和成本低等优点。同时,它可以大面积制备高分辨率的纳米图形,使得大批量低成本地生产微纳器件成为可能。而固态照明工程目前...

    庄喆 刘斌... 《激光与光电子学进展》 2013年02期 期刊

    关键词: 光学制造 / 纳米压印技术 / 发光二极管 / 纳米结构

    下载(596)| 被引(2)

    InGaN太阳电池转换效率的理论计算  CNKI文献

    根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池.同时,计算还得出了3种InGaN太阳电池的最佳...

    文博 周建军... 《半导体学报》 2007年09期 期刊

    关键词: InGaN / 太阳电池 / 转换效率 / 理论计算

    下载(552)| 被引(24)

    AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦...  CNKI文献

    首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α_...

    李明 张荣... 《物理学报》 2012年02期 期刊

    关键词: Rashba自旋劈裂 / 子带间自旋轨道耦合 / 自恰计算 / 二维电子气

    下载(267)| 被引(4)

    InN材料及其应用  CNKI文献

    由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。

    谢自力 张荣... 《微纳电子技术》 2004年12期 期刊

    关键词: InN / 带隙 / 半导体材料 / 晶格常数

    下载(501)| 被引(22)

    利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性  CNKI文献

    研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型,利用X射线衍射(XRD)技术,对样品的对称面和非对称面做ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并且根据在不同...

    王健 谢自力... 《中国激光》 2013年01期 期刊

    关键词: 薄膜 / 快速退火 / X射线衍射 / 氮化铟

    下载(130)| 被引(3)

    GaN薄膜中的马赛克结构随厚度发生的变化  CNKI文献

    利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)对MOCVD系统中生长在c面Al2O3上的不同厚度的GaN薄膜内马赛克结构进行了研究.在对称面的三轴X射线衍射曲线中,用两种方法计算得到晶粒的垂直关联长度和水平关联长度,两者均随着薄膜厚度的...

    张韵 谢自力... 《物理学报》 2013年05期 期刊

    关键词: GaN薄膜马赛克结构 / 厚度 / HRXRD

    下载(99)| 被引(4)

    用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性...  CNKI文献

    利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同工艺条件下的高质量AlGaN材料的制备.得到了无裂纹的全组分AlxGa1-xN(0<x<1)薄膜.通过XRD,SEM,AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对材料的结构质量、...

    谢自力 张荣... 《物理学报》 2007年11期 期刊

    关键词: AlGaN / DBR / 紫外探测器 / MOCVD

    下载(328)| 被引(12)

    GaN纳米柱发光特性  CNKI文献

    用自组装的Ni纳米岛做掩模通过ICP刻蚀得到Ga N纳米柱,采用扫描电子显微镜(SEM)观测其形貌,室温下光致发光(PL)谱测量研究样品发光特性。结果表明,室温下Ga N纳米柱的发光强度是体材料的2.6倍。为了修复刻蚀损伤,用KO...

    杨华 谢自力... 《发光学报》 2015年03期 期刊

    关键词: GaN纳米柱 / KOH腐蚀 / 光致发光 / 内量子效率

    下载(114)| 被引(3)

    MOCVD生长的全组分InGaN材料  CNKI文献

    利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度。利用不同的物理表征手段系统研究了InGaN薄膜的晶体结构和光电学性...

    徐峰 吴真龙... 《微纳电子技术》 2009年05期 期刊

    关键词: InGaN / X射线衍射 / 原子力显微镜 / X射线光电子能谱

    下载(475)| 被引(9)

    非极性GaN薄膜及其衬底材料  CNKI文献

    本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括-γL iA lO2、r面蓝宝石等。通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光...

    周健华 周圣明... 《人工晶体学报》 2006年04期 期刊

    关键词: r面蓝宝石 / -γLiAlO_2 / a面GaN / m面GaN

    下载(412)| 被引(12)

    AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究  CNKI文献

    对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具...

    付润定 庄德津... 《陶瓷学报》 2018年06期 期刊

    关键词: AlN单晶 / 化学机械抛光 / AlGaN / Stranski-Krastanow生长模式

    下载(124)| 被引(0)

    GaN纳米线材料的特性和制备技术  CNKI文献

    GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料 ,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中 ,并可用于大功率微波器件 .最近几年 ,由于GaN蓝光二极管的成功研制 ,使GaN成为了化合物半导体领域...

    谢自力 张荣... 《纳米技术与精密工程》 2004年03期 期刊

    关键词: 半导体 / 氮化镓 / 纳米线 / MOCVD

    下载(792)| 被引(11)

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