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    新型RC-IGBT的研究  CNKI文献

    在新能源、高铁、电动汽车、智能电网这些绿色产业或产品中,绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)是必不可少的核心功率器件。随着低碳、节能概念在全球范围内的普及,IGBT将会成为功率器件市场...

    朱利恒 导师:陈星弼 电子科技大学 2014-03-26 博士论文

    关键词: 功率器件 / 逆导IGBT / 二极管 / 电压折回

    下载(521)| 被引(6)

    高速IGBT及IGBT抗闩锁性能优化  CNKI文献

    文章从技术发展角度总结了IGBT发明初期的发展历史,比较全面的介绍了动态控制IGBT阳极发射结的研究进展与现状,并列举了目前比较常见的能提高IGBT抗闩锁能力的设计方法。 采用MEDICI电路仿真功能模拟研究基于陈星...

    朱利恒 导师:陈星弼 电子科技大学 2010-06-30 硕士论文

    关键词: 绝缘栅双极型晶体管 / 动态控制阳极 / 双栅IGBT / 闩锁

    下载(623)| 被引(5)

    具有更宽安全工作区的IGBT元胞的研究与设计  CNKI文献

    研究了一种新的IGBT发射极元胞,并给出其设计方法。该元胞在不影响单位面积有效沟道宽度的情况下,将源衬底的P+区与源N+区并排垂直于沟道一侧放置,以缩短空穴路径。与采用深P+注入抗闩锁的传统方法相比,经过优化设计的...

    朱利恒 蒋其梦... 《微电子学》 2010年06期 期刊

    关键词: 绝缘栅双极型晶体管 / 抗闩锁 / 安全工作区

    下载(250)| 被引(4)

    A novel double trench reverse conducting IGBT with rob...  CNKI文献

    The phenomenon that the wide P-emitter region in the conventional reverse conducting insulated gate bipolar transistor(RC-IGBT) results in the non-uniform current distribution in the integrated freew...

    朱利恒 陈星弼 《Journal of Semiconductors》 2014年08期 期刊

    关键词: reverse / conducting / insulated / gate

    下载(78)| 被引(2)

    Theoretical calculation of the p-emitter length for sn...  CNKI文献

    A physically based equation for predicting required p-emitter length of a snapback-free reverseconducting insulated gate bipolar transistor(RC-IGBT) with field-stop structure is proposed. The n-buffe...

    朱利恒 陈星弼 《Journal of Semiconductors》 2014年06期 期刊

    关键词: reverse / conducting / insulated / gate

    下载(59)| 被引(2)

    Novel reverse conducting insulated gate bipolar transi...  CNKI文献

    Novel reverse-conducting IGBT(RC-IGBT) with anti-parallel MOS controlled thyristor(MCT) is proposed.Its major feature is the introduction of an automatically controlled MCT at the anode, by which the...

    朱利恒 陈星弼 《Journal of Semiconductors》 2014年07期 期刊

    关键词: reverse / conducting / IGBT / snapback

    下载(69)| 被引(2)

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