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    InGaN/GaN低维量子阱结构的制备及其发光性质研究  CNKI文献

    GaN基半导体器件的商业化使得当前对III族氮化物的研究发展迅猛。由于III族氮化物带隙可以从0.7eV到6.2eV连续变化,所对应的波长覆盖了从近红外到紫外极为宽广的光谱范围,并且拥有优良的物理、化学性质, GaN基半导体材...

    杨国锋 导师:陈鹏 南京大学 2013-05-27 博士论文

    关键词: InGaN/GaN量子阱 / 金属有机化学气相外延 / 单量子阱 / 低温生长

    下载(2144)| 被引(8)

    GaN纳米柱的量子效率研究  CNKI文献

    主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更...

    李扬扬 陈鹏... 《南京大学学报(自然科学)》 2014年03期 期刊

    关键词: GaN纳米柱 / 光致发光(PL) / 量子效率

    下载(150)| 被引(1)

    宽带隙半导体材料光电性能的测试  CNKI文献

    主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任...

    郭媛 陈鹏... 《半导体技术》 2011年11期 期刊

    关键词: 光致发光 / 深能级 / 自由激子 / 束缚激子

    下载(262)| 被引(1)

    利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱  CNKI文献

    报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳...

    杨国锋 陈鹏... 《半导体技术》 2011年06期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 镍纳米岛模板 / 电感耦合等离子刻蚀 / 半极性面

    下载(203)| 被引(1)

    深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响  CNKI文献

    为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深...

    孟庆芳 陈鹏... 《半导体技术》 2011年10期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 深能级 / 发光二极管(LED) / 电致发光

    下载(155)| 被引(1)

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