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    AlGaN/AlInN日盲紫外DBR的研究  CNKI文献

    Ⅲ族氮化物半导体材料中的AlN、GaN、InN以及它们的三元或者四元合金化合物均为直接带隙材料,并且可以通过调节组分使其合金化合物的带隙从红外到紫外波段内连续变化。布拉格反射镜(DBR)是微腔器件重要的组成部分,可见...

    张李骊 导师:郑有炓 南京大学 2013-07-01 博士论文

    关键词: Ⅲ族氮化物 / 分布式布拉格反射镜 / 日盲紫外波段 / AlGaN/AlInN

    下载(576)| 被引(2)

    氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究  CNKI文献

    系统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/III比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响.研究发现合适的低温成核层为后续高温生长提供成核中心,并能有效降低外延膜与衬底间的界面自由能,促进成核...

    张李骊 刘战辉... 《物理学报》 2013年20期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 氢化物气相外延 / 低温成核层

    下载(146)| 被引(6)

    氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析  CNKI文献

    对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量。利用...

    刘战辉 修向前... 《光谱学与光谱分析》 2013年08期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 氢化物气相外延 / 拉曼光谱 / 激光光致发光谱

    下载(159)| 被引(2)

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