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    GaN纳米柱的发光特性研究  CNKI文献

    以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料,近年来得到了快速发展。由于其具有传统半导体材料不具备的独特的光学和电学性能,如从0.7eV到6.2eV连续可调的宽的直接带隙、大的激子束缚能、高热导率等,GaN基半导体材料已成为制...

    李扬扬 导师:陈鹏 南京大学 2015-05-01 硕士论文

    关键词: Ⅲ族氮化物 / GaN纳米柱 / 光致发光(PL)谱 / 光致发光特性

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    GaN纳米柱的量子效率研究  CNKI文献

    主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更...

    李扬扬 陈鹏... 《南京大学学报(自然科学)》 2014年03期 期刊

    关键词: GaN纳米柱 / 光致发光(PL) / 量子效率

    下载(150)| 被引(1)

    Band Edge Emission Improvement by Energy Transfer in H...  CNKI文献

    GaN nanorods are fabricated using inductively coupled plasma etching with Ni nano-island masks.The poly[2-methoxy-5-(2-ethyl)hexoxy-1,4-phenylenevinylene](MEH-PPV)/GaN-nanorod hybrid structure is fab...

    蒋府龙 刘亚莹... 《Chinese Physics Letters》 2016年10期 期刊

    关键词: GaN / PPV / MEH / Nitride/Organic

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