全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
手机远见搜索 |设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
发文数量
被引数量
学者研究热点:
    引用
    筛选:
    文献类型 文献类型
    学科分类 学科分类
    发表年度 发表年度
    基金 基金
    研究层次 研究层次
    排序:
    显示:
    CNKI为你找到相关结果

    CoFeB-MgO基磁性隧道结的制备工艺优化和磁电阻效应研究  CNKI文献

    自旋电子学(Spintronics)的研究和发展离不开磁性纳米材料,磁性纳米材料的生长和垂直磁化膜的研究促使了自旋电子学的飞跃式发展,基于磁性纳米材料的自旋电子学器件成为自旋电子学转化为信息产业的桥梁。基于MgO的磁性...

    娄永乐 导师:张玉明 西安电子科技大学 2017-06-01 博士论文

    关键词: 磁性隧道结 / MgO / 结晶 / 垂直磁各向异性

    下载(157)| 被引(1)

    空位缺陷及Mg替位对纤锌矿(Ga,Mn)N电子结构和磁光性能的影...  CNKI文献

    采用自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似(GGA+U)平面波超软赝势方法,构建了未掺杂纤锌矿GaN超胞、三种不同有序占位Mn双掺GaN,(Mn,Mg)共掺杂GaN以及存在空位缺陷的Mn掺杂GaN超胞模型,分别对所有模型的能带结构、电...

    徐大庆 李培咸... 《物理学报》 2016年19期 期刊

    关键词: GaN / 第一性原理 / 电子结构 / 磁光性能

    下载(98)| 被引(3)

    热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的...  CNKI文献

    通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN:Mn薄膜,并研究了退火温度对GaN:Mn薄膜的微结构、光学及磁学特性的影响.对不同退火温度处理后的GaN:Mn薄膜的拉曼谱测试显示,出现了由与离子注入相关的缺陷的局域振动(LV...

    徐大庆 张义门... 《物理学报》 2014年04期 期刊

    关键词: Mn掺杂GaN / 光致发光 / 室温铁磁性 / 退火

    下载(128)| 被引(1)

    以创新能力培养为目标的集成电路专业实验教学体系建设与探...  CNKI文献

    为了满足新工科建设和集成电路产业对综合科技创新型人才的迫切需求,高等院校新型实验体系重构迫在眉睫。通过整合、优化、更新实验内容,增加虚拟仿真实验平台并加大科研创新实验模块与综合交叉融合实验模块的比重,构...

    康海燕 娄永乐... 《高教学刊》 2019年24期 期刊

    关键词: 微电子 / 集成电路 / 工程实践能力 / 创新能力

    下载(59)| 被引(0)

    Mn离子注入Mg掺杂GaN的微结构和光学特性研究  CNKI文献

    通过Mn离子注入Mg掺杂GaN外延层制备了铁磁性GaN∶Mn薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(...

    徐大庆 张义门... 《功能材料》 2015年14期 期刊

    关键词: GaN / 离子注入 / 拉曼散射 / 光致发光

    下载(105)| 被引(1)

    Two-dimensional threshold voltage model of a nanoscale...  CNKI文献

    The tunneling field-effect transistor(TFET) is a potential candidate for the post-CMOS era.In this paper,a threshold voltage model is developed for this new kind of device.First,two-dimensional(2D) m...

    李妤晨 张鹤鸣... 《Chinese Physics B》 2013年03期 期刊

    关键词: tunnel / field-effect / transistor / band-to-band

    下载(55)| 被引(3)

    退火温度对GaN:Mn薄膜微结构、电学及磁学性能的影响  CNKI文献

    通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN:Mn薄膜,研究了退火温度对其微结构、电学和磁学性能的影响。结果表明:所有样品均呈现为单晶纤锌矿结构;离子注入产生的相关缺陷在GaN:Mn薄膜中引起了新的声子模,分析认为...

    徐大庆 李培咸... 《硅酸盐学报》 2016年07期 期刊

    关键词: 锰掺杂氮化镓 / 微结构 / 铁磁性 / 磁交换相互作用

    下载(65)| 被引(1)

    Influence of oxygen content on the crystallinity of Mg...  CNKI文献

    With RF sputtering process, Si/SiO2/Ta/Ru/Ta/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta/Ru structure has been grown on Si(100) substrate. Attempting different targets and adjusting the oxygen dose, the crystallization quali...

    娄永乐 张玉明... 《Journal of Semiconductors》 2014年08期 期刊

    关键词: MgO / crystallization / sputtering / methods

    下载(26)| 被引(1)

    Effects of Fe-Oxide and Mg Layer Insertion on Tunnelin...  CNKI文献

    To study the influence of CoFeB/MgO interface on tunneling magnetoresistance(TMR),different structures of magnetic tunnel junctions(MTJs) are successfully prepared by the magnetron sputtering techniq...

    娄永乐 张玉明... 《Chinese Physics Letters》 2016年11期 期刊

    关键词: MgO / of / TMR / Fe

    下载(6)| 被引(0)

    学术研究指数分析(近十年)详情>>

    • 发文趋势

    获得支持基金

      同机构合作作者

      其他机构合作作者

      主要合作者关系图

      时间的形状